Method for forming gate insulating film, and device for forming gate insulating film

WO2012165263 Art A1 6. Dezember 2012

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012165263
Aktenzeichen: EP12793269
Anmeldetag: 23. Mai 2012
Veröffentlichung: 6. Dezember 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336C23C16/56H01L21/31H01L21/316H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

6.253 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von