Method for testing density and location of gate dielectric layer trap of semiconductor device

WO2012167636 Art A1 13. Dezember 2012

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012167636
Aktenzeichen: EP12796055
Anmeldetag: 28. Februar 2012
Veröffentlichung: 13. Dezember 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G01N27/61G01R31/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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