Verfahren zum Herstellen eines Optoelektronischen Halbleiterbauelements und Derartiges Halbleiterbauelement
WO2012168040
Art A1
13. Dezember 2012
Anmelder: Osram Opto Semiconductors Gmbh 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012168040
- Aktenzeichen
- EP12720879
- Anmeldetag
- 14. Mai 2012
- Veröffentlichung
- 13. Dezember 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L33/62H01L33/00H01L33/48H01L25/075
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Osram Opto Semiconductors Gmbh
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
OSRAM Opto Semiconductors
Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.
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