Semiconductor device, semiconductor substrate, production method for semiconductor substrate, and production method for semiconductor device

WO2012169214 Art A1 13. Dezember 2012

Anmelder: Sumitomo Chemical Company, Limited, The University of Tokyo, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012169214
Aktenzeichen: EP12796189
Anmeldetag: 11. Juni 2012
Veröffentlichung: 13. Dezember 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8238H01L21/02H01L21/28H01L21/762H01L27/08H01L27/092H01L27/12H01L29/417H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Sumitomo Chemical Company, Limited
The University of Tokyo
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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🇯🇵 University of Tokyo

Japanische Universität mit Sitz in Tokio, eine der führenden Forschungsuniversitäten Asiens. Die Universität ist in nahezu allen wissenschaftlichen und technischen Disziplinen aktiv, darunter Materialwissenschaften, Elektrotechnik, Biotechnologie und Medizin.

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🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von