Sputtering target, method for manufacturing sputtering target, and method for forming thin film

WO2012169449 Art A1 13. Dezember 2012

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012169449
Aktenzeichen: EP12796648
Anmeldetag: 28. Mai 2012
Veröffentlichung: 13. Dezember 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34H01L21/363

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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