Sic single crystal and method for manufacturing same, sic wafer, and semiconductor device

WO2012169465 Art A1 13. Dezember 2012

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho, Denso Corporation, Showa Denko K.K. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012169465
Aktenzeichen: EP12796714
Anmeldetag: 4. Juni 2012
Veröffentlichung: 13. Dezember 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36H01L21/203

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho
Denso Corporation
Showa Denko K.K.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Denso

Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.

7.883 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Showa Denko

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, seit 2023 als Resonac Holdings firmierend. Aktiv in Petrochemie, Elektronikmaterialien, Batteriematerialien sowie Halbleiterchemikalien.

2.327 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von