Asymmetric static random access memory cell with dual stress liner

WO2012170465 Art A2 13. Dezember 2012

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012170465
Aktenzeichen: EP12797074
Anmeldetag: 6. Juni 2012
Veröffentlichung: 13. Dezember 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/413

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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