Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement mit einer Leiterschicht im Halbleiterkörper und Halbleiterbauelement
WO2012171742
Art A1
20. Dezember 2012
Anmelder: AMS AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012171742
- Aktenzeichen
- EP12720909
- Anmeldetag
- 16. Mai 2012
- Veröffentlichung
- 20. Dezember 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/768H01L23/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- AMS AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
🇩🇪
ams OSRAM
ams OSRAM International GmbH ist ein deutsch-österreichischer Hersteller von Sensoren und optoelektronischen Bauteilen, entstanden aus dem Zusammenschluss von ams und Osram.
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Epping, Wilhelm
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