Integrated circuit device and method of implementing power gating within an integrated circuit device

WO2012172390 Art A1 20. Dezember 2012

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012172390
Aktenzeichen: EP11867960
Anmeldetag: 15. Juni 2011
Veröffentlichung: 20. Dezember 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G05F3/00G05F1/565

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Steuerungs- & Regelungstechnik

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