Wafer dicing using hybrid galvanic laser scribing process with plasma etch
WO2012173791
Art A2
20. Dezember 2012
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2012173791
- Aktenzeichen
- EP12800023
- Anmeldetag
- 31. Mai 2012
- Veröffentlichung
- 20. Dezember 2012
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/301
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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