Improved heteroepitaxial growth using ion implantation

WO2012174410 Art A1 20. Dezember 2012

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012174410
Aktenzeichen: EP12731822
Anmeldetag: 15. Juni 2012
Veröffentlichung: 20. Dezember 2012
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/40C30B23/02C30B25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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