Method for forming strained semiconductor channel

WO2012174689 Art A1 27. Dezember 2012

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012174689
Aktenzeichen: EP11868284
Anmeldetag: 9. August 2011
Veröffentlichung: 27. Dezember 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/10H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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