A germanium-based nmos device and a manufacturing method thereof

WO2012174871 Art A1 27. Dezember 2012

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012174871
Aktenzeichen: EP12802127
Anmeldetag: 21. Februar 2012
Veröffentlichung: 27. Dezember 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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