Method of fabrication of a semiconductor substrate and a semiconductor substrate

WO2012176031 Art A1 27. Dezember 2012

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012176031
Aktenzeichen: EP12731664
Anmeldetag: 11. Juni 2012
Veröffentlichung: 27. Dezember 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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