Method for manufacturing thin film transistor substrate, thin film transistor substrate manufactured by same, and method for manufacturing semiconductor film

WO2012176410 Art A1 27. Dezember 2012

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012176410
Aktenzeichen: EP12801915
Anmeldetag: 14. Juni 2012
Veröffentlichung: 27. Dezember 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/205H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.803 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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