Transistor semiconductor substrate, transistor, and method of manufacturing transistor semiconductor substrate

WO2012176411 Art A1 27. Dezember 2012

Anmelder: Sumitomo Chemical Co., Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012176411
Aktenzeichen: EP12802321
Anmeldetag: 14. Juni 2012
Veröffentlichung: 27. Dezember 2012
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L21/20H01L21/205H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Chemical Co., Ltd
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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