Resistance Memory Cell

WO2012178114 Art A2 27. Dezember 2012

Anmelder: Rambus Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2012178114
Aktenzeichen: EP12802120
Anmeldetag: 22. Juni 2012
Veröffentlichung: 27. Dezember 2012
Rechtsraum: WO
IPC: G11C13/00G11C7/10G11C7/20

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Rambus Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Rambus Inc.

Rambus ist ein US-amerikanisches Halbleiter- und Technologieunternehmen mit Sitz in Kalifornien. Die Patente betreffen Speicherschnittstellen, Chip-Sicherheit und Datenübertragung.

661 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von