Method for integrating substitute gate of semiconductor device

WO2013000190 Art A1 3. Januar 2013

Anmelder: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013000190
Aktenzeichen: EP11868699
Anmeldetag: 2. August 2011
Veröffentlichung: 3. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/8238H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Institute Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences

Chinesisches Forschungsinstitut der Chinese Academy of Sciences mit Schwerpunkt auf Mikroelektronik und Halbleitertechnologie. Patente betreffen Chipdesign und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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