Layered semiconductor substrate and method for manufacturing it
WO2013000636
Art A1
3. Januar 2013
Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013000636
- Aktenzeichen
- EP12724600
- Anmeldetag
- 23. Mai 2012
- Veröffentlichung
- 3. Januar 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/20H01L21/24H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Siltronic AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Siltronic
Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.
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