Dual current path for high rated currents

WO2013000951 Art A1 3. Januar 2013

Anmelder: ABB Technology AG 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013000951
Aktenzeichen: EP12730526
Anmeldetag: 27. Juni 2012
Veröffentlichung: 3. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01H1/38H01H33/02H01H33/14H01H33/91

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: ABB Technology AG
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 ABB

Schweizerisch-schwedischer Technologiekonzern mit Sitz in Zürich. Fokussiert auf Elektrifizierung, Robotik, industrielle Automatisierung sowie Antriebstechnik für Industrie- und Energiekunden.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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