Method for producing semiconductor layer, method for producing photoelectric conversion device, and semiconductor starting material

WO2013002057 Art A1 3. Januar 2013

Anmelder: Kyocera Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013002057
Aktenzeichen: EP12804754
Anmeldetag: 18. Juni 2012
Veröffentlichung: 3. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/368H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Kyocera Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Kyocera

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Kyoto. Kyocera fertigt Keramikbauteile, Halbleiterkomponenten, Solarmodule, Druck- und Kopiersysteme sowie Elektronikprodukte für Industrie und Endverbraucher.

9.185 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von