Method for producing semiconductor substrate, substrate for forming semiconductor substrate, multilayer substrate, semiconductor substrate, and electronic device

WO2013002227 Art A1 3. Januar 2013

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013002227
Aktenzeichen: EP12804976
Anmeldetag: 26. Juni 2012
Veröffentlichung: 3. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02G02F1/1368H01L21/20H01L21/265H01L21/336H01L27/08H01L27/12H01L29/786H01L51/50

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

22.803 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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