Single photon detector in the near infrared using an ingaas/inp avalanche photodiode operated with a bipolar rectangular gating signal.

WO2013002430 Art A1 3. Januar 2013

Anmelder: Korea Institute of Science and Technology 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013002430
Aktenzeichen: EP11868425
Anmeldetag: 28. Juni 2011
Veröffentlichung: 3. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G01J3/443

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Korea Institute of Science and Technology
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 Korea Institute of Science and Technology

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Seoul, das interdisziplinäre Forschung in Naturwissenschaften, Ingenieurwesen und Materialtechnologie betreibt und zahlreiche Patente aus seinen Instituten hervorbringt.

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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