Apparatus and method for growing silicon carbide single crystal

WO2013002539 Art A2 3. Januar 2013

Anmelder: SK Innovation Co., Ltd. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013002539
Aktenzeichen: EP12803588
Anmeldetag: 26. Juni 2012
Veröffentlichung: 3. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B11/00C30B23/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SK Innovation Co., Ltd.
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 SK Innovation

Südkoreanischer Konzern mit Schwerpunkten Erdöl- und Petrochemieverarbeitung sowie Batterietechnologie, insbesondere Lithium-Ionen-Akkus für Elektrofahrzeuge und Energiespeicher.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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