Systems and methods for controlling etch selectivity of various materials

WO2013003676 Art A2 3. Januar 2013

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013003676
Aktenzeichen: EP12803564
Anmeldetag: 29. Juni 2012
Veröffentlichung: 3. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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