Method of stack patterning using a ion etching

WO2013003745 Art A2 3. Januar 2013

Anmelder: Seagate Technology LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013003745
Aktenzeichen: EP12803984
Anmeldetag: 29. Juni 2012
Veröffentlichung: 3. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3065

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Seagate Technology LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Seagate Technology

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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