Containing ruthenium-doped tantalum oxide based resistive type memory and method for fabricating the same

WO2013003978 Art A1 10. Januar 2013

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013003978
Aktenzeichen: EP11869031
Anmeldetag: 6. Juli 2011
Veröffentlichung: 10. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L45/00H01L27/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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