Method for integrating manganese-oxide-based resistive memory with copper interconnection rear end process

WO2013003979 Art A1 10. Januar 2013

Anmelder: Fudan University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013003979
Aktenzeichen: EP11868903
Anmeldetag: 6. Juli 2011
Veröffentlichung: 10. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/82H01L21/768H01L45/00H01L27/24

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fudan University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Fudan University

Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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