Method for determining the crystalline quality of a iii-v semiconductor layer

WO2013005095 Art A1 10. Januar 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013005095
Aktenzeichen: EP12738600
Anmeldetag: 2. Juli 2012
Veröffentlichung: 10. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G01N1/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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