Buffer layer, method for manufacturing photoelectric conversion element comprising same, and photoelectric conversion element

WO2013005427 Art A1 10. Januar 2013

Anmelder: FUJIFILM Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013005427
Aktenzeichen: EP12807753
Anmeldetag: 4. Juli 2012
Veröffentlichung: 10. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/04H01L21/368

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: FUJIFILM Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

21.764 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von