Composition for forming n-type diffusion layer, method for producing n-type diffusion layer, and method for producing solar cell element

WO2013005738 Art A1 10. Januar 2013

Anmelder: Hitachi Chemical Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013005738
Aktenzeichen: EP12807674
Anmeldetag: 3. Juli 2012
Veröffentlichung: 10. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/225H01L31/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Chemical Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi Chemical

Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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