Atomic layer deposition of transition metal thin films

WO2013006242 Art A1 10. Januar 2013

Anmelder: Wayne State University 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013006242
Aktenzeichen: EP12807794
Anmeldetag: 5. Juni 2012
Veröffentlichung: 10. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/44

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Wayne State University
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Wayne State University

Die Wayne State University ist eine staatliche Universität in Detroit, Michigan, mit breiter medizinischer und naturwissenschaftlicher Forschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und organische Chemie, ergänzt um Mess- und Prüftechnik sowie Pharma und Biotechnologie. Anmeldungen erfolgen kontinuierlich seit 2000.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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