Power mosfet with integrated gate resistor and diode-connected mosfet

WO2013006703 Art A2 10. Januar 2013

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013006703
Aktenzeichen: EP12806980
Anmeldetag: 5. Juli 2012
Veröffentlichung: 10. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/02H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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