Method for preparing vertical silicon nanowire field effect transistor

WO2013007073 Art A1 17. Januar 2013

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013007073
Aktenzeichen: EP11869407
Anmeldetag: 18. November 2011
Veröffentlichung: 17. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/06H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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