Insulated Gate Bipolar Transistor

WO2013007654 Art A1 17. Januar 2013

Anmelder: ABB Technology AG 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013007654
Aktenzeichen: EP12735121
Anmeldetag: 6. Juli 2012
Veröffentlichung: 17. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L29/06H01L29/10H01L29/73H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: ABB Technology AG
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 ABB

Schweizerisch-schwedischer Technologiekonzern mit Sitz in Zürich. Fokussiert auf Elektrifizierung, Robotik, industrielle Automatisierung sowie Antriebstechnik für Industrie- und Energiekunden.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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