Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

WO2013008419 Art A1 17. Januar 2013

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013008419
Aktenzeichen: EP12811231
Anmeldetag: 4. Juli 2012
Veröffentlichung: 17. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/336H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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