Inductively coupled rf plasma source with magnetic confinement and faraday shielding

WO2013009941 Art A1 17. Januar 2013

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013009941
Aktenzeichen: EP12747944
Anmeldetag: 12. Juli 2012
Veröffentlichung: 17. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01J37/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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