Etching method and devices produced using the etching method

WO2013010067 Art A2 17. Januar 2013

Anmelder: 3M Innovative Properties Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013010067
Aktenzeichen: EP12811687
Anmeldetag: 13. Juli 2012
Veröffentlichung: 17. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/306

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: 3M Innovative Properties Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 3M Innovative Properties

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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