Processing method of substrate for semiconductor elements

WO2013011705 Art A1 24. Januar 2013

Anmelder: Sintokogio, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013011705
Aktenzeichen: EP12709391
Anmeldetag: 23. Januar 2012
Veröffentlichung: 24. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/02H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sintokogio, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sintokogio, Ltd.

Japanischer Hersteller von Gießerei- und Industrieanlagen (Formmaschinen, Oberflächenbehandlungstechnik) mit Sitz in Nagoya. Patente betreffen Gieß- und Fertigungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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