Group iii nitride semiconductor light-receiving element and method for producing group iii nitride semiconductor light-receiving element

WO2013011722 Art A1 24. Januar 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013011722
Aktenzeichen: EP12814842
Anmeldetag: 6. April 2012
Veröffentlichung: 24. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/323H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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