Silicon carbide substrate, semiconductor device, method for producing silicon carbide substrate, and method for manufacturing semiconductor device

WO2013011751 Art A1 24. Januar 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013011751
Aktenzeichen: EP12815564
Anmeldetag: 30. Mai 2012
Veröffentlichung: 24. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36H01L21/20H01L21/205

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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