Semiconductor device manufacturing method

WO2013011759 Art A1 24. Januar 2013

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013011759
Aktenzeichen: EP12814362
Anmeldetag: 6. Juni 2012
Veröffentlichung: 24. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/02H01L21/304H01L21/3065H01L21/336H01L21/337H01L27/098H01L29/12H01L29/78H01L29/808H01L29/861H01L29/868

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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