Electrostatic chuck with wafer backside plasma assisted dechuck

WO2013012612 Art A1 24. Januar 2013

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013012612
Aktenzeichen: EP12815297
Anmeldetag: 10. Juli 2012
Veröffentlichung: 24. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H05F3/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik

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