Thin film transistor, manufacturing method thereof and array substrate including same

WO2013013586 Art A1 31. Januar 2013

Anmelder: BOE Technology Group Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013013586
Aktenzeichen: EP12817225
Anmeldetag: 17. Juli 2012
Veröffentlichung: 31. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: BOE Technology Group Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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