Method and device for fabricating a layer in semiconductor material

WO2013014209 Art A1 31. Januar 2013

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013014209
Aktenzeichen: EP12740950
Anmeldetag: 25. Juli 2012
Veröffentlichung: 31. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von