Method for etching atomic layer of graphine
WO2013015559
Art A2
31. Januar 2013
Anmelder: Research & Business Foundation Sungkyunkwan University 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2013015559
- Aktenzeichen
- EP12817430
- Anmeldetag
- 19. Juli 2012
- Veröffentlichung
- 31. Januar 2013
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C01B31/02B01J19/08H01L21/3065
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Research & Business Foundation Sungkyunkwan University
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Research & Business Foundation Sungkyunkwan University
Die Research & Business Foundation Sungkyunkwan University ist die Technologietransfer- und Patentverwertungsstelle der südkoreanischen Sungkyunkwan-Universität. Das Portfolio streut breit über Medizintechnik, Halbleiter und Nachrichtentechnik, mit weiteren Anmeldungen in Mess- und Softwaretechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2011 bis 2025.
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