Memory with deferred fractional row activation

WO2013015893 Art A1 31. Januar 2013

Anmelder: Rambus Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013015893
Aktenzeichen: EP12817309
Anmeldetag: 8. Juni 2012
Veröffentlichung: 31. Januar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: G11C7/00G11C8/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Rambus Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Rambus Inc.

Rambus ist ein US-amerikanisches Halbleiter- und Technologieunternehmen mit Sitz in Kalifornien. Die Patente betreffen Speicherschnittstellen, Chip-Sicherheit und Datenübertragung.

661 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von