Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

WO2013018163 Art A1 7. Februar 2013

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013018163
Aktenzeichen: EP11870428
Anmeldetag: 29. Juli 2011
Veröffentlichung: 7. Februar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8244H01L27/11

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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