Method for producing field effect transistor, field effect transistor, display device, image sensor, and x-ray sensor

WO2013018448 Art A1 7. Februar 2013

Anmelder: Fujifilm Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013018448
Aktenzeichen: EP12819710
Anmeldetag: 19. Juni 2012
Veröffentlichung: 7. Februar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786G01T1/24G09F9/30H01L21/336H01L27/144H01L27/146H01L27/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fujifilm Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujifilm

Japanischer Konzern, hervorgegangen aus der Fotofilmherstellung, heute aktiv in Bildgebung, Dokumentenlösungen, Materialwissenschaften sowie Diagnostik und Arzneimittelherstellung.

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Fachgebiete

Anzeige-, Signal- & Kontrolltechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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