Pretreatment method and carbon nanotube formation method

WO2013018509 Art A1 7. Februar 2013

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2013018509
Aktenzeichen: EP12820126
Anmeldetag: 9. Juli 2012
Veröffentlichung: 7. Februar 2013
Rechtsraum: WO
IPC: C01B31/02B01J37/08B82Y40/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Verfahrens- & Trenntechnik

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